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独立存储器—I2C、SPI并行接口产品

独立存储器 I2C/SPI/并行接口产品

FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。

 

富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 FRAM产品阵列 ,如果您想获得样品 ,请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。

 

FRAM的优势

SRAM相比

独立的FRAM存储器,因为具有Pseudo-SRAM I/F,因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以获得的优势如下:

1. 总的成要缩减

采用SRAM,你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且,FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。

●   维护自由;无需更换电池

●   缩小的器件尺寸;可以省去大量的器件

 

2.环保型产品(减少了环境负担)

用过的电池成为工业废料。在生产过程中,与SRAM相比,FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。

●   无废弃电池

●   降低工业负荷,实现环保

E2PROM/闪存相比

与传统的非易失性存储器,如E2PROM和闪存相比,FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势,具体如下:

1. 性能提升

FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此,与E2PROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时,E2PROM和闪存需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。 

总之,FRAM具有下列优势:

●   能够在电源中断的瞬间备份数据

●   能够进行频繁的数据记录

●   能够保证更长的电池寿命

2. 总的成本缩减

在为每个产品写入出厂参数时,与E2PROM 和闪存相比,FRAM可以缩减写入时间。而且,FRAM可以为您提供一种芯片解决方案,避免采用几个存储器来保存数据,而E2PROM却不能实现。因此,利用FRAM可以降低总成本!

●   当写入出厂参数时,缩短了写入时间

●   减掉了产品上很多的部件

 


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