独立存储器— I2C/SPI/并行接口产品

FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。

富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 FRAM产品阵列 ，如果您想获得样品 ，请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。

FRAM的优势

与SRAM相比

独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：

1. 总的成要缩减

采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且，FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。

●   维护自由；无需更换电池

●   缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件

2.环保型产品（减少了环境负担）

用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。

●   无废弃电池

●   降低工业负荷，实现环保

与E2PROM/闪存相比

与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E²PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：

1. 性能提升

FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。 

总之，FRAM具有下列优势：

●   能够在电源中断的瞬间备份数据

●   能够进行频繁的数据记录

●   能够保证更长的电池寿命

2. 总的成本缩减

在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！

●   当写入出厂参数时，缩短了写入时间

●   减掉了产品上很多的部件